随着栅控半导体器件的额定功率越做越大，开关速度越来越快，额定电压越来越高，对缓冲电路的电容器仅仅要求足够的耐压、容量及优异的高频特性是不够的。

　　在大功率电力电子电路中，由于IGBT 的开关速度已小于1μs，要求吸收电路电容器上的电压变化速率dv/dt》 V/μs 已是很正常的，有的要求 V/μs 

甚至 

V/μs。

　　对于普通电容器，特别是普通金属化电容器的dv/dt《100V/μs，特殊金属化电容器的dv/dt≤200V/μs，专用双金属化电容器小容量（小于10nF）的dv/dt≤1500V/μs，较大容量（小于0.1μF）的则为600V/μs，在这种巨大且重复率很高的峰值电流冲击下是很难承受的。损坏电力电子电路的现象。

　　目前吸收电路专用电容器，即金属箔电极可承受较大的峰值电流和有效值电流冲击，如：较小容量（10nF 

以下）的可承受100000V/μs～455000V/μs 的电压变化率、3700A 峰值电流和达9A 

有效值电流（如CDV30FH822J03）；较大容量（大于10nF，小于0.47μF）或较大尺寸的可承受大于3400V/μs 以及1000A 

峰值电流的冲击。

　　由此可见，尽管同是无感电容、金属化和金属箔电容，应用在吸收电路中将有不同的表现，外形相近但规格不同在这里是绝对不能互换的。电容器的尺寸将影响电容器的dv/dt 

及峰值电流的耐量，一般而言，长度越大dv/dt 

和峰值电流则相对较小。

　　吸收电路中电容器的工作特点是高峰值电流占空比小，有效值电流不十分高，与这种电路相似的还有晶闸管逆变器的换相电容器，尽管这种电容器要求的dv/dt 

较吸收电容器小，但峰值电流与有效值电流均较大，采用普通电容器在电流方面不能满足要求。

　　在某些特殊应用中要求储能电容器反复急促放电，而且放电回路电阻极低、寄生电感很小，在这种场合下只能将吸收电容并联使用以保证长期使用的可靠性。